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  • 談談超結功率半導體器件
    圖13.基於超結的終端結構對橫向叉指型超結器件而言,由於表面超結結深較淺,容易在終端指尖位置提前擊穿,為解決此問題,作者團隊提出如圖14所示的襯底終端技術,透過將部分襯底電荷引入到器件表面,降低曲率效應,實現終端區新的電荷平衡,提高器件耐壓...

    綜合2022-02-27

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