華為哈勃持股23.91%，年產能15萬片的化合物半導體專案投產

近日，雲南鍺業釋出公告稱，公司控股子公司雲南鑫耀半導體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導體”）實施的“磷化銦單晶片建設專案”已經正式投產。

4英寸磷化銦單晶片產線投產6英寸專案正在研發試製

根據此前公告披露，磷化銦單晶片建設專案總投資3。24億元，由鑫耀半導體在昆明高新技術產業開發區馬金鋪電力裝備園B-5-5地塊雲南國家鍺材料基地內建設一條磷化銦單晶片生產線，專案建設期24個月。

該專案的實施內容還包括已完成的“5萬片/年2英寸磷化銦單晶及晶片產業化建設專案”（下稱“2英寸專案”）。雲南鍺業表示，在2英寸專案的基礎上，將實現4英寸磷化銦單晶及晶片的產業化。專案生產線建成後將具備年產15萬片4英寸磷化銦單晶片的能力。

除了披露已經投產的4英寸磷化銦單晶片專案，近日，雲南鍺業還披露了6英寸磷化銦單晶技術專案的進展。雲南鍺業在互動平臺上表示，6英寸磷化銦單晶技術專案是公司為應對將來市場需求升級而進行的技術儲備，目前該專案尚在研發試製過程中。

華為持股23。91% 哈勃科技關聯方供應有保障

資料顯示，鑫耀半導體成立於2013年，是雲南鍺業旗下控股子公司，主要負責化合物半導體材料砷化鎵晶片（襯底）、磷化銦晶片（襯底）的研發和生產，產品被廣泛應用於垂直腔面發射鐳射器（VCSEL）、大功率鐳射器、光通訊用鐳射器和探測器等領域。

2021年鑫耀半導體砷化鎵晶片、磷化銦晶片開始向下遊客戶批次供貨，並實現營業收入7097。72萬元，營業利潤1784。66萬元。

值得一提的是，作為國家工信部認定的專精特新“小巨人”企業，鑫耀半導體還獲得了華為旗下半導體投資平臺哈勃科技的增資入股。

2021年初，哈勃科技以貨幣方式向鑫耀半導體增資3，000萬元，增資完成後哈勃科技持有鑫耀公司23。91%的股權，為第二大股東。

雲南鍺業表示，哈勃科技入股公司控股子公司，將進一步加強與下游廠商的溝通與協作，有利於鑫耀公司產品質量的提升和推動其市場開拓工作，鑫耀半導體將向哈勃科技關聯方提供砷化鎵及磷化銦襯底，並保障供應，對方則透過對相關產品的實際應用為鑫耀公司提供技術及產品驗證上的反饋。

國內政企合力 加速佈局第二代半導體材料

據悉，砷化鎵和磷化銦都屬於第二代半導體材料，其中，砷化鎵憑藉高功率密度、低能耗、抗高溫、高發光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，被廣泛應用於光通訊、高頻毫米波器件、光電器件、光電積體電路整合鐳射器、光探測器等領域，而磷化銦產品則在射頻、光電子、行動通訊、資料通訊等多項領域的廣泛應用。

集邦諮詢半導體分析師龔瑞驕透露，高階磷化銦和砷化鎵材料主要用於光通訊、鐳射器、探測器以及射頻器件等領域。

縱觀國內市場，雖然以碳化矽/氮化鎵為主的第三代化合物半導體已經成為研發主流，但近年來，國內地方政府和相關企業正在加速第二代化合物半導體材料的研發。

例如，重慶市政府今年3月印發的《重慶市戰略性新興產業發展“十四五”規劃（2021—2025年）》中明確提出，積極發展化合物半導體，提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導體材料製造能力、產能和化合物半導體晶片生產線良品率，發展鐳射器晶片、光電器件等產品。

同時，相關企業也已經正式向資本市場發起衝擊，其中，華為哈勃持股3。74%的長光華芯已於今年4月1日正式登陸科創板，北京通美晶體的科創板申請則已完成首輪問詢。此外，華燦光電、有研新材、以及三安光電等A股公司在砷化鎵領域也有涉足。

未來，隨著5G通訊、可穿戴裝置、光通訊、人工智慧、無人駕駛等領域的發展，化合物半導體材料市場規模將逐步擴大，國內相關企業也將進一步實現突破。