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搞清楚時序與頻率,買記憶體條就不會入坑

  • 由 科技粉絲後援團 發表于 棋牌
  • 2022-05-14
簡介很多時候購買者都會忽視在電腦中起到不可忽視作用的CPU以及硬碟,購買記憶體的時候,人們更加關注的也是它的價格以及所擁有的容量,而並非效能上的命門——“頻率”以及“時序”

記憶體時序怎麼看

很多時候購買者都會忽視在電腦中起到不可忽視作用的CPU以及硬碟,購買記憶體的時候,人們更加關注的也是它的價格以及所擁有的容量,而並非效能上的命門——“頻率”以及“時序”。

很多人表示好奇,究竟何為頻率

所謂記憶體的頻率,指的是在記憶體工作的過程中、以兆赫為單位所達到的一個頻率,記憶體標稱頻率,或者稱為主頻主要告訴我們這條記憶體在什麼樣的頻率下能夠繼續正常穩定的工作。

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就以XPG龍耀D60G DDR4-3600舉例,其主頻為3600兆赫,這就表示其穩定在3600兆赫以下的頻率,不過這並不代表著他不能在更高頻率下進行運轉,只不過這樣的行為具有一定的風險,也就是我們常說的超頻。

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記憶體達到頻率從極大程度上影響著CPU的效能發揮,記憶體的頻率越高、其運轉的速度也就越快。當你的顯示卡和CPU效能都極強、而記憶體的頻率卻更不上時,電腦的效能將會受到限制。

不過,雖說記憶體頻率越高越好,但還是要看整體電腦的配置是否相符,如果你的電腦主機板+CPU最高只支援2666兆赫的記憶體,那麼你花高價購買3600兆赫的記憶體也沒用。

說完了頻率現在再說說時序。

記憶體的時序所反映的是記憶體在不同工作環節當中的延遲時間,記憶體時序的數值越低、表示其執行時延遲越短。

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同樣以XPG龍耀D60G DDR4-3600舉例,它的時序組成(16-18-18-36),從左至右分別代表著四個數值。

CL(CAS Latency):列地址訪問延遲

tRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延遲

tRP(RAS Precharge Time):行地址預充電時間

tRAS(RAS Active Time):行地址有效時間

其中CAS(Columns Address Strobe):列地址選通脈衝以及RAS(Row Address Strobe):行地址選通脈衝是關鍵所在。

我們試想將記憶體看作是一個格盤,每一個格內都藏有不同的資料,CPU需要什麼資料就會向記憶體發出指令(即CAS和RAS),而記憶體再憑藉這一指令將其所需要的資料找出,提供給CPU。

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而從CAS解道指令並找出的這段時間,便是“CL”,在進行尋找的過程中,需要現確定Row以及Columns,而記憶體對這兩者進行訪問時所等待的事件便是“tRCD”。

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當記憶體完成這一些列指令之後,才能進行下一批資料的執行,這兩種資料在執行過程中所需要的事件便是“tRP”。“tRAS”則為自RAS資料發出指令開始到資料執行完成所耗費的週期。

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在相同的條件下,時序會隨著頻率的變化而發生變化,在頻率相同的情況下,時序越低的記憶體條、其效能越強。

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