松木ME2345A-G（替換）AOS萬代AO3401A，30V低壓MOS管方案！

ME2345A / ME2345A-G，P溝道30V（D-S）MOSFET

ME2345A一般說明

ME2345A簡述：

ME2345A是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應電晶體。 這種高密度工藝經過特別設計，可最大程度地降低導通電阻。 這些裝置特別適合低壓應用，例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路，在這些應用中，需要在非常小的外形表面安裝封裝中進行開關和低串聯電源損耗。

ME2345A特徵：

●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4。5V

●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2。5V

●超高密度電池設計，可實現極低的RDS（ON）

●出色的導通電阻和最大直流電流能力

ME2345A應用領域：

●筆記本中的電源管理

●行動式裝置

●電池供電系統

●負荷開關

●DSC引腳配置

AO3401A一般說明：

AO3401A使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和低至2。5V的工作柵極電壓。 該裝置適合用作負載開關或其他一般應用。

AO3401A產品概要：

VDS         -30V

ID（在VGS = -10V時）-4。0A

RDS（ON）（在VGS = -10V時）<50mΩ

RDS（ON）（在VGS = -4。5V時）<60mΩ

RDS（ON）（在VGS = -2。5V時）<85mΩ

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