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深入三極體之第四篇——三極體飽和時的載流子分析

  • 由 有AI野心的電工和碼農 發表于 棋牌
  • 2021-10-24
簡介釋出時間:2010-3-26 上午8:49雙極型晶體三極體共射放大電路中,若三極體處於飽和狀態時,集電極電流ic的實際方向是怎樣的

pn結正偏時呈什麼狀態

看了很多說法,感覺都沒有對三極體飽和時內部載流子的流向分析說清楚……。

看來最基本的問題,深究起來才是最難的。

在網上苦苦尋覓,找到eet論壇中的一個問答(原帖已不可訪問)回覆,算是勉強可以回答我這個疑問吧,如下:

問題:晶體三極體飽和狀態時,集電極電流Ic的實際方向是怎樣的?

釋出時間:2010-3-26 上午8:49

雙極型晶體三極體共射放大電路中,若三極體處於飽和狀態時,集電極電流ic的實際方向是怎樣的?以NPN型管子來說,共射放大電路時,若管子處於飽和狀態時,集電極電流ic的實際方向是流入集電極c呢,還是流出c呢?書中共射輸出特性曲線的ic始終為正值(飽和區也是),而ic的參考方向是取流入集電極c的,這就意味著管子飽和時,ic的實際方向也是流入c的。但是從另一方面來看,管子飽和時,集電結是正偏的,即:b極電位高於c極,相當於集電結的PN接面加了一個正向電壓,那麼按照PN接面的性質,ic的實際方向當然是流出c的,這與前面的結論(ic是流入c的)相矛盾。

該如何解釋這個矛盾呢?

第3樓 回覆主題:晶體三極體飽和狀態時,集電極電流Ic的實際方向是怎樣的?

釋出時間:2010-3-31 下午10:43

作者:劉何時

很有意思的一個問題。必須微觀分析晶體三極體才能準確解釋。至少要用勢壘、熱擴散等概念。定量分析太難,要用量子力學。。。有時間再說。要知道目前所用電路分析定律是建立統計宏觀基礎上的!

第4樓 回覆主題:晶體三極體飽和狀態時,集電極電流ic的實際方向是怎樣的?

釋出時間:2010-4-1 下午12:16

作者:劉何時

對NPN矽晶體三極體而言:

“Vce=Vbe≈0。7V”

,是電路的一種特殊工作狀態。理論上,一般把

Vce=Vbe

的狀態稱為

臨界飽和

Vce<Vbe

的狀態則稱為

過飽和

。當然,小功率BJT的飽和電壓比大功率BJT的飽和電壓要小,如小功率管可以小於0。4V,而大功率管則可以在1。0V以上。飽和壓降值與三極體集電極電流大小相關,甚至於三極體所處的環境溫度關係密切,但與電晶體功率容量無關。

三極體飽和時呈現低阻抗,類似於開關接通。理論上當Ub>0,兩個PN接面均為正偏。

Ib=Ibs時稱臨界飽和;Ib>>Ibs時稱過飽和。

Ibs為臨界飽和基極電流,Ics為臨界飽和集電極電流。

Ibs=Ics/β。由於Ics≈Vcc/Rc;所以Ibs≈Vcc/βRc。

實際飽和條件: a。 兩個PN接面正偏。 b。 Ib=Vcc/βRc臨界飽和;Ib>>Vcc/βRc過飽和,

隨著電晶體的飽和, 其集電極電壓已經不等於集電極的電源電壓,而是近似的等於發射極電壓(可能略高於發射極0。1伏,視管子的飽和壓降不同而不同)。 (Vcc不是Vc)集電結正偏, 意思為: 集電極電壓已經低於基電極電壓。 而基極電壓因為PN接面的箝位, 存在不高於0。7V的勢壘電壓。根據基爾霍夫定理, 在結點不可能有電荷堆積, 流入電晶體的電流等於從電晶體流出的電流。 這時,

發射極電壓最低, 基極電壓最高, 集電極次之

。 基極電流是流入的, 集電極電流也是流入的, 只有發射極電流是流出的。 即:不會有從基極到集電極的電流!

從三極體結構來講:在正向的Vbe電場作用下,發射極的電子注入基區,再擴散到集電結邊緣。三極體未飽和時,集電結反偏的電壓會把邊緣的電子立刻吸引到集電極。可是當電流Ib逐漸增加,Ic也增加,擴散到集電結邊緣的電子越來越多,電子濃度不斷增加,集電結反偏勢壘Vcb就會越來越小。當Ic大到使Vcb為0時,管子進入飽和,就不再有電場吸引這些結邊緣的電子了,電子只能是擴散到集電極。當Ic再增加時,Vcb<0(Vb=0。7V,Vc=0。3V), 此時集電結就正偏了,會阻礙電子擴散了,但因為基區電子濃度太大了,電子繼續擴散到集電極,能夠滿足Ic大小的要求。

注意:Vcb<0集電結正偏並不是三極體外部電場導致的結果,而是由於基區的電子濃度遠大於集電區由電子擴散所造成的!

(我覺得, 此說法值得商榷, Vcb從放大態的正值變化到飽和態的負值, 應該主要原因是由外部電路條件決定的, Vce = Vcb + Vbe = Vcc - Ic*R, 隨著Ic的不斷增大, Vce必然不斷減小, 而由於Vbe在放大態到飽和態的變化過程中基本恆定不變, 則Vcb不斷減小, 直到進入飽和態變為負值, Ic不再繼續增大了。)

注:擴散,全稱分子擴散。在濃度差或其他推動力的作用下,由於分子、原子等的熱運動所引起的物質在空間的遷移現象,是質量傳遞的一種基本方式。以濃度差為推動力的擴散,即物質組分從高濃度區向低濃度區的遷移,是自然界和工程上最普遍的擴散現象;以溫度差為推動力的擴散稱為熱擴散;在電場、磁場等外力作用下發生的擴散,則稱為強制擴散。

劉何時 編輯於 2010-4-1 下午 12:54

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