功耗降低50%，效能提高30%！三星突破3nm晶片，成功反超臺積電

臺積電是全球第一晶圓代工巨頭

，每年營收都超過了市場總營收的一半

。而臺積電之所以能獲得如此強的統治力，主要原因在於

臺積電的晶片代工技術一直領先友商。

但根據最新訊息，臺積電技術優勢或將止步於5nm，在不久三星就後完成對臺積電的反超。

據悉，

三星成功流片

3nmGAA

晶片

。不出意外，該晶片在明年下半年將會大批次生產。雖然之前臺積電也公佈了3nm晶片的上市時間，但要知道的是，三星3nm和臺積電3nm並不相同。

三星3nm

晶片採用了GAA

技術，臺積電3nm

使用的則是FinFET

技術

。單看工藝，GAA技術可以看作是FinFET 技術的進階版本。

相比FinFET技術，GAA技術

優勢在於擁有更為強大的溝道控制能力，

晶片設計廠商可以藉助這一特性，進一步縮小晶片尺寸，同時

增加電晶體堆疊數量，進而提升晶片效能

。

根據三星介紹，晶片配置相同情況下，

使用

3nmGAA

工藝打造的晶片要比使用5nmFinFET

工藝打造的晶片效能增強30%

。

值得一提的是，GAA工藝技術還能更好地控制功耗，減輕晶片漏電情況。

相同配置晶片，

3nm GAA

工藝最高可以降低晶片50%

功耗，這

能讓手機更加節省電量。

事實上，在筆者看來，GAA工藝的節電特性遠比效能提升特性更能吸引人，這也是決定三星能否在新一代晶片製程工藝上超過臺積電的關鍵。

因為GAA工藝雖然能幫助手機晶片提升效能，但三星技術水準相比臺積電卻相對落後

。2020年三星釋出的

5nm工藝，被不少業內人士指出，水準等效於臺積電6nm

。優點、缺點相結合，GAA所帶來的效能優勢技基本消失。

事實上，目前大多數消費者在考慮晶片時，相比效能都更為在意功耗。畢竟，旗艦晶片效能過剩已經多年，強大的效能除了能讓手機跑出更高的分數外，並沒有太大用處。

但功耗控制能力卻可以嚴重影響使用者使用體驗，

大尺寸、高重新整理率、高解析度、

5G

功能，無一不是耗電大戶。而

在使用者追求輕薄設計的背景下，旗艦機電池容量大都被限制在5000毫安時以內，這意味著續航將成為消費者最為頭疼的問題。

而在三星GAA技術加持下，這也問題或將可以明顯改善。你認為三星能憑這項技術在3nm時代反超臺積電嗎？

文/JING 稽核/子揚 校正/知秋