終於快來了！三星量產第8代V-NAND快閃記憶體：傳輸速度提升一倍

從本月開始，各家廠商將會陸續釋出PCIe 5。0 SSD固態盤，同時帶來更多新技術和優惠。近日，

三星官方宣佈開始量產236層3D NAND快閃記憶體晶片，並將其命名為第8代V-NAND。

（圖片來源：三星電子官方網站）

據小雷瞭解，新一代儲存晶片能夠達到2400MTps的傳輸速度，相比上一代提升了1。2倍，可以製造傳輸速度超過12GBps的消費級SSD。據介紹，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星電子沒有公佈IC的實際密度，

不過他們稱其是業界最高的位元密度。

（圖片來源：三星電子中國官方網站）

目前三星官方還未釋出實際的產品，不過距離新品釋出已經不遠了。值得一提的是，雖然儲存容量變得更大，但是第8代V-NAND的厚度依舊控制在合理水平，封裝512GB容量也不會超過0。8mm。

與目前同容量的快閃記憶體晶片相比，第8代V-NAND的單晶生產率提高了20%，能夠滿足PCIe 4。0甚至是PCIe 5。0的效能要求。

單晶生產率的提升意味著生產成本進一步降低，後續大家或許可以買到相同容量下更便宜的固態硬碟。

（圖片來源：三星電子中國官方網站）

事實上，不只有三星一家，像東芝、西數、SK海力士等廠商都在大力研發3D NAND技術，以此來拉開與競爭者的差距，從而佔據大部分市場份額。就目前而言，三星的3D NAND技術已經完成了全面領先，

希望後續其他廠商能夠加把勁，爭取早日追上三星。

對想購買固態硬碟的使用者來說，完全可以等等看，畢竟做等等黨“永遠不虧”，預計後面還會有更多新品上市。可以預見的是，

儲存廠商的“內卷”才剛剛開始，未來還會有更多容量大且便宜的固態硬碟。

（封面圖來源：三星電子中國官方網站）