ASML宣佈新訊息後，臺積電有點“哭笑不得”

晶片等規則被修改後，劉德音就公開表示臺積電追求的是技術領先，建設非美技術生產線不是目前考慮的方向。

劉德音還表示追求更高的能效，推進3nm晶片就是朝著這個方向前進的。

臺積電在晶片製造技術方面領先，離不開ASML EUV光刻機的幫助，畢竟ASML一半的EUV光刻機都出貨了臺積電。

所以臺積電一直都希望ASML優先提供全新一代High NA EUV光刻機，並將更多該型號的光刻機交付給臺積電。

因為新一代High NA EUV光刻機可以生產製造2nm及以下晶片，臺積電優先獲得該光刻機，自然就能夠佔據領先優勢。

如今，ASML首席技術官宣佈新訊息，ASML正在準備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明年某個時間點完成。

另外，其還懷疑High-NA 將是最後一個NA，當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭。

這一消宣佈後，臺積電有點苦笑不得，原因有三。

首先，臺積電一直都在追求技術領先，並希望優先獲得全新一代High NA EUV光刻機。

劉德音曾表示臺積電將會在2024年獲得全新一代High NA EUV光刻機，這就意味著臺積電並沒有獲得該光刻機的優先權。

要知道，英特爾是ASML最大的股東，其已經明確表示要在2024年量產N2工藝的晶片，自然是希望優先獲得全新一代High NA EUV光刻機。

另外，三星方面已經多次向ASML表態，希望優先獲得全新一代High NA EUV光刻機，李在鎔甚至都親自前往荷蘭總部進行協商。

再加上，美不斷修改規則，要求更多晶片在本土生產製造，三星等在美建設3nm晶片，英特爾也計劃投資1000億美元在本土建設。

這些都可能意味著臺積電獲得High NA EUV光刻機的時間晚於英特爾、三星。

其次，臺積電的晶片製造技術領先，但成本讓臺積電頭疼，尤其是在先進工藝方面。

訊息稱，臺積電計劃在2023年再次對先進工藝的代工價格上漲6%，就是因為成本高。

全新一代High NA EUV光刻機的售價將會超過3億美元，是傳統EUV光刻機售價的三倍，這意味著臺積電的裝置成本再次提升。

EUV光刻機已經耗電大戶，每臺每年耗電量超過1000萬度，全新一代High NA EUV光刻機的耗電量更高，以至於ASML都不得不表示下一步將朝著更環保的方向努力。

也就是說，全新一代High NA EUV光刻機將會進一步抬高臺積電的晶片製造成本，如果其在美生產更多先進製程的晶片，那成本更是不敢想象。

最後，臺積電追求技術領先，追求更高的能效，都是建立在ASML先進光刻機的基礎上，但ASML已經表示High NA EUV光刻機可能就是盡頭了。

這就意味著臺積電的晶片製造技術可能也就會停留在1nm以上。

要知道，臺積電今年量產3nm晶片，預計2025年才能夠量產2nm晶片，1。8nm等製程晶片可能都等到2028年以後了。

也就是說，晶片製程進步越來越難了，臺積電也得面對現實，而其它廠商則會利用這段時間進行快速追趕，臺積電的優勢也將逐漸變小。

總而言之就是，臺積電想持續保持技術領先的希望，未來會越來越小。所以才說ASML宣佈新訊息後，臺積電有點“哭笑不得”。