英諾賽科InnoGaN家族三位新成員登場

前言

隨著市場對快充介面卡功率密度的不斷追求，介面卡的開關頻率逐漸提升，從而縮小內部元件體積。傳統的Si MOS器件，開關損耗和驅動損耗已經明顯拉低了介面卡的轉換效率，器件限制不能繼續提高工作頻率，進而限制了磁性元件的縮小，不能進一步提升介面卡的功率密度。

作為一家全球領先的氮化鎵功率器件IDM原廠，英諾賽科已經推出多款氮化鎵快充方案，透過InnoGaN 器件替換Si MOS，提高了快充介面卡的轉換效率和功率密度，英諾賽科InnoGaN 產品已經獲得Anker、倍思、綠聯、閃極、努比亞、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飛頻等數十家知名品牌和廠商的上百款產品採用，出貨量位居全球前三，市場反饋良好。

近期，英諾賽科 InnoGaN 家族迎來了三名新成員，分別是INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B，均為E-mode器件，耐壓值分別為40V、100V、650V，面向不同的應用場景，實現系統的高效率。

這次的三款晶片延續了 InnoGaN 家族低導通電阻、封裝寄生引數小、超快開關速度、無反向恢復等諸多優點，為實現系統的高效率而生。下面充電頭網分別對這三款新品進行介紹，幫助大家瞭解產品特點。

INN040LA015A

作為快充市場的重要組成部分，DC-DC電源晶片在眾多領域都發揮著不可或缺的作用，比如氮化鎵多口快充、車充、充電寶、戶外電源、電動工具等。英諾賽科面向DC-DC等應用場景推出了增強型氮化鎵場效電晶體 INN040LA015A，實現更高的功率密度。

英諾賽科 INN040LA015A耐壓40V，導阻1。5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。採用晶圓級FCLGA 5x4mm封裝，相比傳統封裝MOS管體積大大縮小，同時其最佳化的走線更加方便高頻大電流佈線，擁有超低的寄生電容、無反向恢復。

INN100W032A

同步整流透過將傳統肖特基二極體替換成MOS管，由專用的控制器驅動MOS管根據次級輸出電壓控制導通和關閉，能夠將傳統肖特基二極體接近1V的壓降降低到只有幾十mV，有效降低次級整流的損耗，從而降低整流元件的損耗和溫升。

英諾賽科面向同步整流、D類音訊、高頻DC-DC轉換器等應用場景推出了增強型氮化鎵功率管 INN100W032A，適用於充電寶、戶外電源、通訊基站、電機驅動器等產品領域，降低驅動損耗，提高工作頻率。

英諾賽科 INN100W032A採用 GaNonSilicon Emode HEMT技術，有著極低的柵極電荷和超低導通電阻。耐壓100V，導阻3。2mΩ，連續電流60A，脈衝電流可達230A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。採用FCSP 3。5mm x 2。13mm極小封裝，大大節省佔板面積。

INN650D080B

英諾賽科 INN650D080B 是一款增強型功率管，有著超高的開關頻率，採用ESD防護設計，符合REACH 、RoHS規範，透過 JEDEC標準認證，可用於工業領域。應用場景有 ACDC轉換器、DCDC轉換器、初級開關管、PFC升壓、圖騰柱無橋PFC、快充電池等。

英諾賽科 INN650D080B 採用DFN 8x8封裝，耐壓650V，導阻80mΩ，連續電流30A，脈衝電流可達59A，能夠適應-55℃到150℃工作環境，有著低柵極電荷、低輸出電荷的優點，提升電源轉換效率。

充電頭網總結

英諾賽科成立於2015年12月，是國家級高新技術企業，致力於研發和生產8英寸矽基氮化鎵晶圓與氮化鎵功率器件；是全球領先的氮化鎵IDM 企業。經驗豐富的氮化鎵領域優秀團隊、先進的8英寸製造工藝、加上系統的研發品控分析能力，造就了品質一流和效能優越的氮化鎵產品，市場競爭力遙遙領先。

作為一家國產矽基氮化鎵廠商，英諾賽科目前已經建成全球最大的氮化鎵工廠，業界對其發展潛力十分看好。自從2017年建立全球首條8英寸增強型矽基氮化鎵功率器件量產線以來， 英諾賽科已經發布和銷售多款40V-650V的氮化鎵功率器件，產品的各項效能指標均達到國際先進水平，能廣泛應用於多個新興領域， 如快充、手機、資料中心、鐳射雷達等等。