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科銳推出多款碳化矽基氮化鎵器件,助力大型雷達加速發展

  • 由 晨與橙與城 發表于 垂釣
  • 2022-01-20
簡介本次科銳推出的器件就是基於上述技術:Wolfspeed的CMPA901A020S 器件採用 6 × 6 mm QFN 封裝,是一款 20W 的GaN-on-SiC高功率放大器,能夠在 9 GHz 至 10 GHz 頻率範圍內工作,適用於海洋

科銳晶片怎麼樣

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均為GaN MMIC器件,具備小型化、高效率等優勢。

2021年4月19日,美國北卡羅萊納州達勒姆訊 –– 全球碳化矽技術領先企業科銳Cree, Inc。 (Nasdaq: CREE) 宣佈,推出多款碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)器件:Wolfspeed CMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。本次推出的器件採用MMIC技術,具備研發部署大型雷達系統所需的小型化、高效率、高可靠性、以及優異的功率密度等特點,可有效應對大型雷達所面臨的挑戰。

有源電子掃描陣列(AESA)系統愈來愈受到研發的青睞,該系統主要運用於大型機載平臺上,同時在陸地和海事細分市場也有采用。AESA 系統使用有源陣列,每個陣列擁有數百甚至數千根天線。每一根天線均有其各自的相位和增益控制。天線元件的間距通常為半波長,以減少近場中的暴露。AESA 雷達同時也常常需要在寬範圍的高頻率內擴散訊號。這樣的頻率捷變可以讓雷達快速地搜尋扇形區中的目標,同時保持隱蔽,並帶來更出色的抗干擾能力。這些要求為工程師們帶來了一定挑戰:每個天線元件必須足夠小型和輕量,同時要讓整體系統尺寸和重量在空中和海上使用時可控。

科銳推出多款碳化矽基氮化鎵器件,助力大型雷達加速發展

賦能技術:GaN

GaN能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰,其具備寬的能帶隙,擁有極高的臨界擊穿電場;具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性,以及優異的功率密度。將碳化矽(SiC)作為 GaN 的襯底,能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配,以及出色的熱導率,進而充分發揮 GaN 的特性。

高效能關鍵

單片微波積體電路(MMIC)能將多個元件的完整功能模組製造在單個裝置中,進而提高電路密度。MMIC採用方形扁平無引腳(QFN)封裝,能夠帶來進一步降低成本和減小尺寸的優勢。由於 QFN 封裝採用短鍵合引線,有助於降低引線電感,其暴露在外的銅裸晶片焊盤提供出色的熱學效能。本次科銳推出的器件就是基於上述技術:

Wolfspeed的CMPA901A020S 器件採用 6 × 6 mm QFN 封裝,是一款 20W 的GaN-on-SiC高功率放大器,能夠在 9 GHz 至 10 GHz 頻率範圍內工作,適用於海洋氣象雷達這樣的脈衝雷達應用。該放大器擁有三級增益,能夠提供大於 30 dB 的大訊號增益和大於 50% 的效率,能夠滿足更低的系統直流功率要求,併為簡化系統熱管理解決方案提供支援。

今天推出的另一款GaN MMIC 是CMPA9396025S ,其能夠整合諸多技術,帶來 SWaP-C 改進的最大化。該三級器件針對 9。3-GHz 至 9。6-GHz 工作而設計,採用 6 × 6 mm QFN 封裝,在 100-µs 脈衝寬度、佔空比為 10% 條件下的功率為 25 W。

MMIC 放大器中的CMPA801B030 系列在 7。9-GHz 到 11-GHz 頻率範圍內工作,能夠支援在 X-波段中實現更寬的頻寬和更高的功率。其輸出典型值高達 40 W,大訊號增益大於 20 dB,功率附加效率達 40%。該產品系列採用 7 × 7 mm 的塑膠二次注塑成型 QFN,同樣提供裸晶片和 10 引腳金屬 / 陶瓷安裝凸緣 flanged 封裝,從而帶來更出眾的電氣效能和熱學效能。

科銳推出多款碳化矽基氮化鎵器件,助力大型雷達加速發展

CMPA801B030提供裸晶片和高度緊湊型封裝,帶來SWaP-C改進的最大化

(備註:以上所列所有器件 ECCN均為3A001。b。2)

上述此類GaN器件有利於推動迅速增加的各類平臺更快速地採用 AESA 雷達,而雷達系統的 GaN 開支也將快速增長。

關於科銳 Cree, Inc。

30多年以來,科銳(納斯達克上市程式碼:CREE)作為碳化矽(SiC)技術和生產的全球領先企業,在全球範圍內引領從矽到碳化矽的轉型。客戶憑藉 Wolfspeed 產品組合,開發出顛覆性的技術解決方案,為電動汽車、快速充電、5G、電源、可再生能源和儲能、以及航空航天和國防等應用提供支援,以實現一個更高效和可持續的未來。我們的團隊致力於推動技術領域的重大轉變,並且把公司打造成強大的全球性半導體企業。

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