Intel 10nm工藝揭秘：電晶體密度比肩臺積電三星7nm

摘要：

Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體電晶體技術，電晶體密度達到了每平方毫米1。008億個（符合官方宣稱），是目前14nm的足足2。7倍！

集微網訊息，

作為科技行業著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm製程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器釋出，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給使用者潑冷水，繼續跳票10nm工藝

對於很多使用者而言，都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢？因為相比起同期的臺積電、三星等廠商，10nm工藝早已經量產上市，並已推出蘋果A11、Exynos 9810等晶片，而作為PC領域中的大哥人物，為何英特爾跟不上潮流的發展呢？而今天，外媒TechInsight就給出了一份滿意的答覆。

目前，Intel 10nm處理器已經小批量出貨，已知產品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U，由聯想IdeaPad 330筆記本首發

TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發現，直接證實了Intel新工藝的先進性。

分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體電晶體技術，電晶體密度達到了每平方毫米1。008億個（符合官方宣稱），是目前14nm的足足2。7倍！

作為對比，三星10nm工藝電晶體密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當於Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1。0123億個，勉強高過Intel 10nm。

至於臺積電、GF兩家的7nm，電晶體密度比三星還要低一些。

換言之，僅電晶體整合度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距（Gate Pitch）從70nm縮小到54nm，最小金屬間距（Metal Pitch）從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

Intel 10nm的其他亮點還有：

－ BEOL後端工藝中首次使用了金屬銅、釕（Ru），後者是一種貴金屬

－ BEOL後端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）

－ 6。2-Track高密度庫實現超級縮放（Hyperscaling）

－ Cell級別的COAG（Contact on active gate）技術

當然了，技術指標再先進，最終也要轉換成有競爭力的產品才算數。（校對/茅茅）