STM32在SRAM、FLASH中除錯程式碼的配置方法（附詳細步驟）

因為STM32的FLASH擦寫次數有限（大概為1萬次），所以為了延長FLASH的使用時間，我們平時除錯時可以選擇在SRAM中進行硬體除錯。除此之外，SRAM 儲存器的寫入速度比在內部 FLASH 中要快得多，所以下載程式到SRAM中的速度較快。

所以我們很有必要建立兩個版本的工程配置，在SRAM中除錯程式完畢後，再把程式碼下載到FLASH中即可。這篇筆記主要分享在keil5中配置FLASH除錯與SRAM除錯的詳細配置方法及如何切換兩種配置。

本篇筆記以STM32F103ZET6為例。其FLASH大小為512KB，SRAM的大小為64KB。FLASH基地址為0x08000000，SRAM基地址為0x20000000。在STM32F10XXX裡，可以透過BOOT1、BOOT0引腳來選擇三種不同的模式：

我們要在FLASH中進行硬體模擬除錯還是在RAM中進行硬體模擬除錯需要對這兩個boot腳進行對應的設定以及程式下載的地址進行設定。

在FLASH中進行硬體模擬除錯

1、硬體設定

BOOT0配置為0，BOOT1隨意設定。

2、keil設定

本文以keil5為例。步驟如下：

（1）點選如下按鈕，修改target的名稱：

target的名稱是可以隨意更改的，我們這裡改為FLASH。

（2）點選Project->Options for Target Flash。。。（也可以點選魔術棒那個圖示）進行配置。首先對Target選項卡設定：

設定IROM1的起始地址為0x8000000，大小為0x80000，即FLASH的基地址與大小。設定IRAM1為0x20000000，大小為0x10000，即SRAM的基地址與大小。

（3）Debug選項設定：

偵錯程式根據實際進行選擇，我們這裡使用的偵錯程式是ULINK2。其它的按預設設定即可，然後點選Settings：

（4）編譯，然後按Ctrl+F5進入除錯介面：

然後點選全速執行：

在Disassembly視窗中可看到地址為0x0800xxxx，說明程式碼燒進了FLASH中，這時候就可以像使用其他C語言IDE除錯C語言程式一樣打斷點、單步執行我們的STM32程式啦。

在SRAM中進行硬體模擬除錯

在SRAM的模擬除錯配置比FLASH中的配置要麻煩一點，我配置的時候遇到不少問題~

1、硬體設定

BOOT0配置為1，BOOT1配置為1。

2、keil設定

（1）新建一個target，並修改名稱為SRAM：

（2）切換至SRAM Target：

（3）點選Project->Options for Target SRAM 。。。（也可以點選魔術棒那個圖示）Target選項卡設定：

設定IROM1的起始地址為0x2000000，大小為0x8000（32KB）；設定IRAM1的起始地址為0x2008000，大小為0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分為32KB的FLASH（當然這是SRAM虛擬出來的FLASH，掉電易失）和16KB的RAM。

（4）C/C++選項設定：

為什麼在RAM中除錯要設定這個宏而在FLASH中除錯卻不需要？這是因為我們的中斷向量表預設位於FLASH中，而此時我們要在RAM中進行除錯，所以需要把中斷向量表複製到RAM中，相關程式碼在system_stm32f10x。c的SystemInit函式中：

其實system_stm32f10x。c檔案中也有宏VECT_TAB_SRAM相關的程式碼：

把這行程式碼開啟即可把中斷向量表複製到RAM中。但是這裡選擇在C/C++選項選項裡新增宏，因為這樣可以保證SRAM版本與FLASH版本程式碼的一致性。

（5）Debug設定：

與在FLASH中除錯不同的是，這裡需要加入。ini檔案：

這個。ini可以自己建立（也可以在晶片支援包裡找到），這裡我們建為Dbg_RAM。ini。檔案裡的內容如下：

其中這裡的第11行是需要根據實際進行修改的，需要把工程編譯得出的。axf格式檔案的路徑及其檔名填到這裡。這裡因為我們這裡的的。ini檔案在。axf的上一級目錄：

所以此處以。/Objects來表示。如果覺得麻煩的話，可以把。axf檔案與。ini放在同一個目錄下。

其它的按預設設定即可，然後點選Settings，並進行如下設定：

圖中我們需要勾選Verify Code Download及Download to FLASH選項，也就是說點選除錯按鈕後，本工程的程式會被下載到內部 SRAM 中，只有勾選了這兩個選項才能正常模擬。 （至於為什麼 FLASH 版本的程式不需要勾選，不太清楚） 。

Download Function中的擦除選項配置為Do not Erase。這是因為資料寫入到內部 SRAM 中不需要像 FLASH 那樣先擦除後寫入。 Programming Algorithm 的地址要與我們Target選項卡里設定的地址一致，否則可能會出現如下錯誤：

（6）編譯，然後按Ctrl+F5進入除錯介面，然後點選全速執行：

在Disassembly視窗中可看到地址為0x2000xxxx，說明程式碼燒進了SRAM中，這時候就可以像使用其他C語言IDE除錯C語言程式一樣打斷點、單步執行我們的STM32程式啦。

以上就是在FLASH中除錯與在SRAM中除錯的設定方法，除錯程式碼時可以選擇SRAM版本的配置，除錯完成再切換回FLASH版本的配置，把程式下載到FLASH中。切換方法：

在RAM中除錯的優缺點

以下來自《【野火】零死角玩轉STM32—F429挑戰者V2》。

優點：

1、載程式非常快。 RAM 儲存器的寫入速度比在內部 FLASH 中要快得多，且沒有擦除過程，因此在 RAM 上除錯程式時程式幾乎是秒下的，對於需要頻繁改動程式碼的除錯過程，能節約很多時間，省去了煩人的擦除與寫入 FLASH 過程。另外，STM32 的內部 FLASH 可擦除次數為 1 萬次，雖然一般的除錯過程都不會擦除這麼多次導致 FLASH 失效，但這確實也是一個考慮使用 RAM 的因素。

2、不改寫內部 FLASH 的原有程式。

3、對於內部 FLASH 被鎖定的晶片，可以把解鎖程式下載到 RAM 上，進行解鎖。

缺點：

1、儲存在 RAM 上的程式掉電後會丟失，不能像 FLASH 那樣儲存。

2、SRAM空間較小。

以上就是本次分享的關於RAM除錯與FLASH除錯的筆記。如有錯誤歡迎指出！謝謝